国家/地区 中国（53） 美国（50） 韩国（46） 日本（29） 世界知识产权组织（25） 欧洲专利局（EPO）（18） 加拿大（6） 台湾（6） 德国（4） 俄罗斯（3） 新加坡（3） 法国（2）
IPC部 C（84） H（72） B（65）
G（9） A（3） F（2）
IPC大类 H01（69） C01（66） B82（41）
B32（20） C08（16） B05（11）
C23（11） B01（10） C09（7）
B29（5） B44（4） G11（4）
H05（4） C07（3） A61（2）
IPC小类 C01B（64） H01L（37） B82Y（30）
B32B（20） B82B（18） H01M（17）
H01B（16） C08K（12） B05D（11）
C08L（11） B01J（9） C23C（8）
H01F（5） H01J（5） B29C（4）
IPC C01B031/04（48） C01B031/02（30） B82Y030/00（18）
B82Y040/00（17） B82B003/00（16） C01B031/00（15）
C08K003/04（12） H01L029/786（10） H01B001/04（9）
B32B009/00（8） H01B001/24（8） H01L029/16（8）
H01L031/042（7） H01L021/20（6） H01L029/06（6）
发明人 KIM J（6） LEE S（5） LI X（5）
ZHAO J（5） LIU J（4） LV W（4）
MA Y（4） YANG Q（4） AWANO H（3）
CHEN W（3） CHEN X（3） CHOI J（3）
HEON HEO S（3） HUN JI S（3） HWANG J（3）
公开年 2010（135）
申请年 2009（135）
专利权人 UNIV TIANJIN（5） KOREA INST S.（4） SAMSUNG ELEC.（4） ABC SANG CO .（3）
HITACHI MAXE.（3） HYUNDAI MOTO.（3） KOREA ADV IN.（3） KOREA INST C.（3）
POSTECH ACAD.（3） POSTECH ACAD.（3） SUZHOU INST .（3） UNIV EAST CH.（3）
UNIV TONGJI（3） UNIV TSINGHU.（3） UNIV ZHEJIAN.（3） YANG W D（3）
AKSAY I A（2） BATTELLE MEM.（2） CHINESE ACAD.（2） FUJITSU LTD（2）

Manufacture of graphene-pitch composites, involves mixing graphene and pitch, and processing mixture.

HEON HEO S, MI JU H, HO CHOI S, YEON CHO G, SEUNG H H, HYE M J, SEONG H C, KWANG Y C

Manufacture of low-dimensional carbon-containing composites, involves mixing graphene, pitch and carbon material, and processing mixture.

HEON HEO S, MI JU H, HO CHOI S, YEON CHO G, HYEONG RYU D, SEUNG H H, HYE M J, SEONG H C, KWANG Y C, DOH H R

Electronic device comprises porous graphene layer including graphene nanoribbon and electrically connecting two graphene electrodes.

KAERKKAEINEN A M, HAQUE S M, COLLI A, PASANEN P M, JOHANNES K L M, UUSITALO M A, LEHTINIEMI R K, KARKKAAINEN A M, HAQUE S, KARKKAINEN L M J, KARKKAINEN L, UUSITALO M, LEHTINIEMI R, KARKKAINEN L M Y, KAERKKAEINEN L M J

Manufacture of graphene film for electrode material, involves dispersing graphene oxide in hydrophilic solvent, rotate-drying and spin-dehydrating.

SEOK SEO T, RIUPEI, SEO T S, FEI L

Production of graphene involves adding oxidized graphite in polar organic solvent, ultrasonically dispersing to obtain suspended dispersing solution, and cooling.

ZHANG X, ZHANG G, XIE L, MA Y, HAN J, SHA J, WANG Y

Preparation of graphene-containing composition involves reacting graphite oxide and component containing liquid polymer in the presence of inert gas, ultrasonically dispersing graphite oxide, setting aside, and cooling.

ZHANG X, ZHANG G, XIE L, MA Y, HAN J, SHA J, DONG S

Graphite structure of electronic component e.g. thermoelectric conversion element, has domains that are formed by laminated structure of graphene sheet that are arranged in plane, such that adjacent domains are connected.

KONDO D, SATO S, IWAI T

Creating layers of graphene, comprises implanting carbon atoms into a substrate at first temperature and lowering temperature of the substrate, so that the carbon atoms diffuse from substrate.

RAMAPPA D A, SULLIVAN P, RAMAPPA D

Method for forming epitaxial graphene layer on electronic component i.e. semiconductor memory, involves removing native oxide film formed on silicon carbide substrate to form epitaxial graphene layer on silicon carbide substrate.

JIN CHO B, HO SEO J, JIN GANG B

Soldering tip for hard- and soft-soldering, comprises graphene layers in its structure.

DOBRICK C M